GHK-BEX/GWY耐高溫接近開關技術指標

用于生產耐高溫接近開關的先進技術利用半導體制造中的多種原理來生產接近開關接近開關可包括集成在襯底上的單片信號調節電路。使用的信號調理器包括用于接近開關的CMOS定時器，并產生近似線性的電壓輸出接近開關± 2%相對濕度，5%至95%相對濕度。接近開關和電容效應、接近開關連接電纜的電容變化受傳感元件和信號調節電路之間的距離限制。除非對接近開關進行激光調整以將方差減小到± 2%或提供基于計算機的重新校準方法，否則直接現場互換性可能會出現問題。

基于接近開關，它在低相對濕度下提供離散信號變化，在長期使用中保持穩定，漂移小，但在小于幾個相對濕度時不是線性的。這些特性導致了露點測量系統的發展，包括基于接近開關和微處理器的電路，這些電路將校準數據存儲在非易失性存儲器接近開關單片電路中，以提供作為相對濕度函數的電壓輸出?；谟嬎銠C的系統記錄的電壓輸出范圍為-40度到27度。使用可追溯的冷鏡濕度計確認參考露點。然后，接近開關中獲得的電壓和露點或冰點值存儲在線性回歸算法中的儀器微處理器中，這些值與同時進行的干球溫度測量一起用于計算水蒸氣壓力。

接近開關通常由貴金屬電極組成，貴金屬電極通過光刻膠技術沉積在基板上，或沉積在塑料或玻璃圓柱體上的纏繞電極上?；淄坑宣}或導電聚合物。當它溶解或懸浮在液體粘合劑中時，它起到均勻涂層接近開關的作用?；蛘?，可以用活化化學物(例如酸)處理基質。

耐高溫接近開關可生產各種規格、尺寸和形狀，包括集成單片電子元件。在涂有多孔金屬電極的基板接近開關上的兩個導電電極之間沉積聚合物或金屬氧化物膜以防止污染和暴露于冷凝?；逋ǔ椴Ａ?、陶瓷或硅(增量介電常數幾乎與周圍環境的相對濕度成正比接近開關，其特點是溫度系數低，能在高溫下工作，從冷凝中恢復，并具有合理的耐化學蒸汽性。